Nouveaux processeurs Intel : Quoi de neuf ?

La première nouveauté de la génération Westmere est bien entendu le passage à une finesse de gravure de 32 nm.

Comme nous le disions plus tôt, Intel est fidèle à son fonctionnement en « Tick Tock », introduit avec la génération Core 2 en 2006, qui veut que tous les deux ans une nouvelle architecture soit mise sur le marché, et que l'année suivante, ce soit une version gravée plus finement de cette architecture qui soit proposée.

L'architecture Nehalem ayant été annoncée en novembre 2008, c'est donc tout naturellement que Westmere arrive aujourd'hui. Comme nous l'avons déjà évoqué par le passé, le passage au 32 nm est l'occasion pour le fondeur d'introduire la lithographie par immersion, utilisée par AMD depuis son passage au 45 nm.

32 nm : High-K + MG de seconde génération et lithographie par immersion


Un procédé complexe et coûteux en raison (entre autres) de son besoin en eau purifiée, mais qui permet d'améliorer nettement le rendement avec des finesses de gravure si faibles.

Intel précise aussi que c'est ici la seconde génération de transistors High-K + Metal gate qui est utilisée et que le « Gate pitch » est  amélioré puisqu'il est réduit de près de 70% (seulement 112.5 nm contre 160 nm précédemment), tout comme le « Drive Current ». Pour le reste, le géant de Santa Clara indique que les rendements suivent actuellement la même courbe d'évolution que le 45 nm, ce qui est plutôt bon signe.

Une efficacité déjà impressionnante sur le papier, pour une production record ?

Tout cela permet à Intel d'annoncer un processeur dont la puce (4 Mo de cache L3, 2x 256 ko de cache L2) est composée de 383 millions de transistors et tient dans seulement 81 mm² contre 114 mm² pour le Northbridge intégré qui n'embarque que 177 millions de transistors.

Pour rappel, un processeur Lynnfield à quatre coeurs (8 Mo de cache L3) embarque 774 millions de transistors dans 296 mm² alors qu'un Core 2 Duo E7x00 en 45 nm (3 Mo de cache L2) annonce 228 millions de transistors dans 82 mm².

Ainsi, avec un die de taille identique Intel dispose désormais de près de 70 % de transistors supplémentaires. Enfin, sur le terrain « écologique », le fondeur annonce aussi que ses packagings respectent désormais complètement la norme RoHS.

Le 32 nm déjà bien sur les rails... puis cap sur le 22 nm

La gravure en 32 nm est actuellement mise en place dans les usines d'Intel situées en Oregon (D1C et D1D) puis elle débarquera aussi dans les Fab32 (Arizona) et D11X (Nouveau-Mexique) du fondeur dans le courant de l'année, afin de renforcer la montée en charge de la production et l'arrivée de Sandy Bridge.


Pour rappel, la prochaine étape du côté de chez Intel sera alors le 22 nm qui devrait arriver dès la fin de l'année 2011. Une étape qui semble en bonne voie puisque le fondeur avait montré en septembre dernier, lors du dernier IDF de San Francisco, son premier waffer de SRAM.

La concurrence se prépare à réagir : le 28 nm en préparation chez les membres de l'ITA


AMD, pour sa part, devrait passer au 32 nm d'ici la fin de l'année via les usines de Global Foundries et prévoit ensuite le passage au 28 nm dès le début de 2011.

Un choix commun à toute l'ITA (IBM Technology Alliance) une alliance de fondeurs formée autour d'IBM qui veut prendre de court Intel sur le terrain de la finesse de gravure, ce qui ne sera pas une mince affaire.

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