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L'IDF 2009 de San Francisco ferme ses portes : premier bilan
Le 28/09/2009 - Nouvelle Technologie - Matériel - par David Legrand
(33)Et voilà, l'IDF 2009, c'est fini ! Cette nouvelle édition, qui était cette fois sous le signe du soleil plutôt que celui du brouillard, n'a pour autant pas été l'occasion pour nous d'en savoir plus sur certains grands projets d'Intel. La plus grande déception est sans aucun doute Larrabee ...
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IDF 09 : du 32 nm en pagaille et le 22 nm en ligne de mire
Le 23/09/2009 - Nouvelle Technologie - Matériel - par David Legrand
(5)C'est parti ! L'IDF 2009 a enfin ouvert ses portes. Et cette année, le fait le plus marquant est sans aucun doute l'absence de Pat Gelsinger. Créateur de l'IDF, arrivé chez Intel en 1979, l'ex-CTO (Chief Technology Officer) a en effet quitté la société il y a seulement quelques jours suite ...
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Toshiba : SRAM High-K Metal Gate et SSD de 512 Go en 43 nm
Le 18/12/2008 - Stockage - Matériel - par Bruno Cormier
(31)Toshiba annonce coup sur coup deux grandes innovations sur lesquelles le Japonais déclare être premier dans le monde. La firme commence avec de la mémoire cache pour processeur, et présente la SRAM la plus fine du monde, avec les cellules les plus petites jamais vues pour ce type de mémoire : ...
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AMD produira des processeurs en 32 nm dès 2010
Le 14/11/2008 - Processeurs - Matériel - par Bruno Cormier
(24)AMD détaille ses ambitions dans la progression de la finesse de gravure de ses processeurs. La firme explique être en mesure de prévoir la production commerciale de ses processeurs en 32 nm au cours de l'année 2010. Entre temps, le fondeur, qui vient tout juste d'annoncer officiellement ses ...
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Intel montre sa gravure en 32 nm, et UMC saute vers le 28 nm
Le 29/10/2008 - Processeurs - Matériel - par Bruno Cormier
(39)Selon EETimes, Intel devrait présenter lors du prochain IEDM 2008 (IEEE International Electron Devices Meeting) une puce fonctionnelle gravée à une finesse de 32 nm. Le prototype en question regroupera 291 Mbits de SRAM, pour un total de 2 milliards de transistors, tous gravés en 32 nm. Pas de ...
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Intel trouve un moyen d'intégrer la DRAM dans un CPU
Le 19/06/2008 - Processeurs - Matériel - par Bruno Cormier
(141)Le site Tom's Hardware US rapporte une découverte qui aura certainement de très importantes conséquences dans les architectures de processeurs. Une équipe de chercheurs de chez Intel vient de trouver le moyen de fusionner de la mémoire vive directement dans un CPU. Cette astuce pourrait résoudre ...
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Le fondeur TSMC passe à une finesse de gravure de 40 nm
Le 25/03/2008 - Nouvelle Technologie - Matériel - par Bruno Cormier
(48)Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), fondeur de puces pour les entreprises « fabless » (sans usine), vient d'annoncer son passage à une finesse de gravure de 40 nm. Le Taïwanais affirme être en mesure de graver des puces informatiques à une finesse de 40 nm dès le ...
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AMD pourrait profiter d'IBM pour accéder à la gravure 32 nm
Le 14/12/2007 - Processeurs - Matériel - par Vincent Hermann
(66)La course à la finesse de gravure 32 nm passera par l’utilisation du processus high-k-plus-metal-gate (HK+MG). Dans cette épreuve, Intel et IBM sont au coude à coude, mais grâce au second, AMD pourrait revenir dans la course. IBM a annoncé récemment un accord majeur avec des fabricants et ...
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Mémoire à changement de phase : Hynix sur le coup
Le 02/10/2007 - Stockage - Matériel - par Bruno Cormier
(22)Après notamment Intel, Samsung, et Qimonda, Hynix saute aussi sur l'occasion de produire de la mémoire non volatile à la fois très rapide, et surtout beaucoup plus durable que l'actuelle mémoire flash en termes de cycles d'écriture. La firme coréenne vient d'acquérir les droits d'exploitation du ...
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Hynix exploitera la Z-RAM dans ses puces de mémoire vive
Le 13/08/2007 - Mémoire - Matériel - par Bruno Cormier
(20)Hynix vient d'annoncer la signature d'un contrat de licence avec Innovative Silicon (ISi) pour l'exploitation de sa technologie de mémoire dynamique Z-RAM. Nous en parlions dans cette actualité, AMD compte aussi utiliser cette Z-RAM en lieu et place de la SRAM de ses processeurs. L'avantage de ...
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Le processeur 80 coeurs d'Intel grimpe à 2 téraflops
Le 22/06/2007 - Processeurs - Matériel - par Bruno Cormier
(149)Lors du Research Intel Day 2007, le fondeur est revenu exhiber son processeur 80 coeurs, pour cette fois lui faire atteindre les 2 téraflops, une puissance doublée depuis la première présentation du CPU en février dernier. Le processeur reste exactement le même, c'est sa fréquence de ...
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Les puces en 3D d'IBM prêtes à surpasser la loi de Moore
Le 12/04/2007 - Processeurs - Matériel - par Bruno Cormier
(101)IBM vient d'annoncer qu'après 10 années de recherche, sa technologie de puces 3D est désormais fin prête à perpétuer la loi de Moore, qui conditionne l'évolution des puces électroniques depuis sa création. IBM affirme même pouvoir aller au-delà de cette loi de Moore grâce à sa nouvelle technique ...
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Plus de détails sur le Cell 65 nm : jusqu'à 6 GHz à 1,3 V
Le 20/02/2007 - Processeurs - Matériel - par Bruno Cormier
(45)Sony a livré plus d'informations sur la nouvelle révision 65 nm du processeur Cell Broadband Engine, actuellement en production massive pour remplacer la première version du processeur gravée en 90 nm. Le Cell en 65 nm viendra notamment remplacer son prédécesseur dans les PlayStation 3 de Sony, ...
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Samsung et Hynix dominent le marché de la mémoire
Le 16/02/2007 - Mémoire - Matériel - par Nil Sanyas
(12)L'informatique est un marché qui évolue sans cesse. Pourtant, ses leaders restent assez souvent les mêmes. Microsoft domine depuis plusieurs années maintenant de nombreux secteurs, dont bien entendu celui des systèmes d'exploitation. IBM n'est pas en reste, notamment en ce qui concerne les serveurs ...
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De la NVRAM à base de nanotubes, très dense et rapide
Le 16/02/2007 - Mémoire - Matériel - par Bruno Cormier
(75)Les nanotubes de carbone sont sujets à des applications chaque jour plus nombreuses. Après avoir servi de base à des circuits de SRAM et DRAM de 22 nm chez Nantero, ces nanotubes sont maintenant testés dans la mémoire non volatile. Des chercheurs de l'Université de Californie viennent de publier ...
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IBM eDRAM : trois fois plus petite et deux fois plus puissante
Le 14/02/2007 - Mémoire - Matériel - par Nil Sanyas
(29)Le marché de la mémoire ne cesse d'évoluer. IBM vient ainsi de présenter lors de l'International Solid State Circuits Conference (ISSCC) sa nouvelle génération d'eDRAM (embedded Dynamic Random Access Memory), qui selon lui est trois fois plus petite et cinq fois moins consommatrice d'énergie que ...
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Samsung lance sa OneDRAM : à la fois SRAM et DRAM
Le 14/12/2006 - Mémoire - Matériel - par Bruno Cormier
(14)Samsung vient de mettre au point une mémoire pour engin mobile bien plus rapide que les précédentes, la OneDRAM. Cette nouvelle mémoire est destinée à s'intégrer dans les téléphones portables, les PDA et les consoles de jeu portables, et particulièrement dans les applications mobiles exploitant ...
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AMD / IBM : lithographie par immersion en 45 nm Ultra-Low-K
Le 12/12/2006 - Processeurs - Matériel - par Bruno Cormier
(68)IBM et AMD viennent de présenter leur projet de gravure par immersion en 45 nm lors de la réunion IEDM (International Electron Device Meeting). Les deux sociétés vont collaborer pour développer un processus de lithographie qui devrait être prêt en milieu d'année 2008. Les deux compères vont ...
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AMD adopte la seconde génération de Z-RAM de ISi
Le 05/12/2006 - Mémoire - Matériel - par Nil Sanyas
(43)Un an après l'adoption de la Z-RAM, AMD continuera d'utiliser cette technologie en intégrant la Z-RAM Gen2. Développée par la société suisse Innovative Silicon (ISi), il s'agit tout simplement de la nouvelle génération de Z-RAM (Zero Capacitor RAM), de la DRAM qui a pour particularité de ne pas ...
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Hynix lance la DRAM mobile (512Mb) la plus rapide du monde
Le 04/12/2006 - Mémoire - Matériel - par Nil Sanyas
(8)Le coréen Hynix Semiconductor a annoncé à l'instant le développement de la plus rapide et plus petite DDR SDRAM mobile de 512Mb (soit 64 Mo). Approuvée par le JEDEC, cette mémoire de 8mm x 10 mm tourne à 200MHz, elle utilise un bus mémoire de 32 bits et est capable de traiter 1,6Go (400 bps x 32) ...
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Seagate produira ses disques durs hybrides en mars 2007
Le 23/11/2006 - Stockage - Matériel - par Nil Sanyas
(12)L'Américain Seagate a annoncé par l'intermédiaire de Brian Wickman, président de Seagate Taïwan et Chine, que la production de ses fameux disques durs hybrides devrait commencer au mois de mars prochain. Ces derniers envahiront donc le marché entre la fin du premier semestre et le second semestre ...
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La Commission ouvre une enquête sur le marché de la SRAM
Le 02/11/2006 - Loi - Droit - par Marc Rees
(29)La Commission Européenne a lancé une série d’enquêtes auprès de plusieurs fabricants de SRAM (static random-access memory) en Allemagne. La procédure, initiée en collaboration avec les autorités nationales, a débuté le 11 octobre dernier, mais vient seulement d’être annoncée par ...
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Freescale premier sur la vente de MRAM
Le 10/07/2006 - Mémoire - Matériel - par Bruno Cormier
(61)Freescale vient d'annoncer la mise en production massive de ses premières puces de MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), la société commence les ventes dès maintenant, et en premier. Cette mémoire non volatile est censée remplacer la mémoire Flash de périphériques portables actuels, en ...
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Texas Instrument : « Nous produisons plus qu'Intel »
Le 13/06/2006 - Société - Economie - par Bruno Cormier
(72)La société Texas Instrument affirme qu'elle va très bientôt surpasser Intel tant en termes de production pure, qu'au niveau de la consommation de ses puces. Les deux sociétés sont au coude à coude en tête des producteurs de puces électroniques, particulièrement dans le monde des puces basse ...
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Seagate présente ses disques durs hybrides
Le 08/06/2006 - Stockage - Matériel - par Bruno Cormier
(29)Seagate vient de présenter une nouvelle gamme de disques durs hybrides, équipés d'une grosse quantité de mémoire Flash en guise de cache, afin de diminuer les activités du disque et donc de réduire sa consommation en énergie. Ces disques sont donc bien sûr au format 2,5 pouces, destiné aux ...
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Intel produit sa première puce en 45 nm
Le 26/01/2006 - Processeurs - Matériel - par Bruno Cormier
(73)Malgré les annonces de Nec et de Toshiba en la matière, Intel persiste à affirmer être le leader de la technologie 45 nm, après avoir produit hier sa première puce entièrement fondue à une finesse de 45 nm.Le numéro un mondial du processeur déclarait donc mercredi être le premier à sortir une puce ...
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AMD veut de la Z-RAM dans le cache de ses CPU
Le 20/01/2006 - Processeurs - Matériel - par Bruno Cormier
(60)AMD vient de signer un accord d'utilisation de licence pour reprendre la technologie Z-RAM de la société Innovative Silicon. AMD se dit intéressée par cette Z-RAM afin de l'utiliser dans ses CPU, en remplacement de l'actuel SRAM qui compose leur mémoire cache.La Z-RAM, pour Zero capacitor RAM, est ...
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Samsung améliore sa RAM pseudostatique pour la 3G
Le 07/09/2005 - Mémoire - Matériel - par François Bardinet
(3)Dans la recherche continuelle de miniaturisation et d'augmentation des capacités de nos chers Smart Phone et autres PDA, Samsung vient de jeter un pavé dans la marre : la PS-RAM (Pseudostatic RAM), une mémoire utilisée principalement pour sa vélocité et ses faibles besoins en énergie, vient ...
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L'Apple iPod Vidéo, les rumeurs continuent
Le 29/07/2005 - Apple - Logiciel - par Nil Sanyas
(50)L'idée d'un iPod Vidéo n'est pas nouvelle. Suite logique de l'iPod audio et photo, malgré les ventes assez moyennes de ce dernier, Steve Jobs n'en rappelle pas moins continuellement que le marché n'est pas assez mature aujourd'hui. Cependant les déclarations du patron d'Apple ne semblent pas pour ...
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Nintendo Revolution : autre matériel, autres rumeurs
Le 14/06/2005 - Consoles - Jeux vidéo - par Vincent Hermann
(116)De nouvelles spécifications techniques de la future console de Nintendo sont apparues sur Internet. Cette liste met en évidence d'impressionnantes capacités graphiques, mais étrangement, Nintendo a annoncé que la Revolution ne disposerait pas d'un affichage en haute-définition. Ces ...
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Premiers détails officiels sur la Playstation 3 !
Le 17/05/2005 - Consoles - Jeux vidéo - par Bruno Cormier
(329)La PlayStation nouvelle est enfin dévoilée par Sony, qui a finalement bien su garder secret son design jusqu'à la date fatidique. Sous une toute nouvelle peau, cette PlayStation 3 promet aussi énormément de performances, tout comme sa concurrente de chez Microsoft, la Xbox 360. C'est donc à l'E3 ...
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Le remplaçant de la mémoire flash par Philips ?
Le 18/03/2005 - Nouvelle Technologie - Matériel - par Vincent_H
(19)Les petits chercheurs de Philips semblent avoir mis la main sur une technologie qui promet presque des miracles tant ses applications pourraient être nombreuses dans le monde de la mémoire en général. La technologie consiste en une mémoire à changement de phase et non volatile. Cette mémoire ...
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Nouveau GPU pour cellulaires : GoForce 3D 4800
Le 14/02/2005 - Téléphonie - Mobilité - par Bruno_C
(8)Après le Goforce 3D 4500, les téléphones portables ont leur nouvelle génération de GPU, les GoForce 3D 4800. Ce nouveau GPU permet d'encoder et de décoder du MPEG4 à 30 images par seconde en 640x480, de compresser une image de 3 Megapixels en JPEG. Il peut aussi prendre en charge une vidéo ...
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IBM fabrique des transistors en germanium étiré
Le 07/12/2004 - Mémoire - Matériel - par David_S
(24)Le fondeur IBM vient d'annoncer la naissance de la plus petite cellule de SRAM au monde, et la fabrication du premier transistor à l'aide de germanium étiré. Selon IBM, cette cellule de SRAM serait 10 fois plus petite que les cellules actuelles, qui mesurent environ 1µm². Il n'est toutefois pas ...
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Intel annonce son respect de la loi de Moore
Le 31/08/2004 - Nouvelle Technologie - Matériel - par David_S
(28)Le fondeur Intel vient de publier un communiqué de presse annonçant qu'une étape importante venait d'être franchie en ce qui concerne la technologie de gravure en 0.065µ. La société a en effet construit avec succès des puces de mémoire SRAM (Static Random Access Memory) de 70 mégabit (8.75 Mo) en ...
