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La PRAM de Samsung en production massive dès juin prochain
Le 06/05/2009 - Stockage - Matériel - par Bruno Cormier
(34)Les premières annonces de Samsung sur la technologie PRAM datent de 2006. Trois ans après, la firme coréenne affirme préparer la production massive de cette nouvelle mémoire à changement de phase pour le mois prochain. Cette PRAM est destinée à remplacer la mémoire flash, grâce à des ...
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Mémoire à changement de phase : Hynix sur le coup
Le 02/10/2007 - Stockage - Matériel - par Bruno Cormier
(22)Après notamment Intel, Samsung, et Qimonda, Hynix saute aussi sur l'occasion de produire de la mémoire non volatile à la fois très rapide, et surtout beaucoup plus durable que l'actuelle mémoire flash en termes de cycles d'écriture. La firme coréenne vient d'acquérir les droits d'exploitation du ...
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Microsoft aimerait de la mémoire ECC dans tous les PC
Le 21/05/2007 - Mémoire - Matériel - par Vincent Hermann
(128)Selon des informations publiées maintenant depuis dix-huit mois auprès des constructeurs par Microsoft, les erreurs de mémoire de type « single bit » font désormais partie des dix causes principales de plantages des machines. Si l’on reste loin d’autres critères comme la ...
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Intel produira sa mémoire PRAM dès le mois de juin
Le 07/03/2007 - Stockage - Matériel - par Bruno Cormier
(22)Intel se prépare à produire de la mémoire non volatile à changement de phase PRAM dès cette année 2007. De quoi proposer une alternative plus performante à la mémoire flash actuelle très bientôt. Les premiers échantillons de PRAM devraient sortir des usines Intel dès le mois de juin prochain, ...
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Des chercheurs coréens brisent la barrière des 10nm
Le 23/02/2007 - Nouvelle Technologie - Matériel - par psikobare
(37)Les professeurs Choi Hee-cheul de la Pohang University of Science and Technology (PUST) et Kim Hyun-tak de l'Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI) ont dernièrement fait sensation en publiant dans le mensuel Nature Nanotechnologie, leur découverte. Ils disent avoir trouvé ...
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Samsung annonce sa Flash à 40 nm et sa PRAM
Le 11/09/2006 - Mémoire - Matériel - par Bruno Cormier
(16)Samsung confirme son rôle dans l'évolution des mémoires électroniques. Le Coréen annonce aujourd'hui une nouvelle mémoire Flash gravée à une finesse de 40 nm, ainsi qu'un nouveau type de mémoire baptisé PRAM. La PRAM, pour Phase-change Random Access Memory, est une mémoire non volatile 30 fois ...
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Samsung : 33 milliards pour écraser la concurrence ?
Le 13/10/2005 - Société - Economie - par Bruno Cormier
(7)Samsung passe à l'attaque à grands coups de dollars. La société vient d'annoncer un investissement colossal pour les années à venir, pour clairement écraser la concurrence.L'investissement s'élève à 33 milliards de dollars, il vise à mettre en place un département de recherche et développement ...
