Transistor plus rapide au monde : 509 GHz!
Des chercheurs de l'Illinois sont fiers d'annoncer qu'ils ont réussi à ...
Des chercheurs de l'Illinois sont fiers d'annoncer qu'ils ont réussi à créer le transistor le plus rapide au monde avec une fréquence de 509 gigahertz.
Pour ce faire, ils ont dû utiliser une finesse de gravure en 0,075 Micron (ou 75 nanomètres). À la différence des transistors traditionnels, qui sont fabriqués à base de silicium et de germanium, les transistors développés par ces chercheurs de l'université sont conçus à partir du phosphure d'indium et de l'arséniure de gallium d'indium (en anglais : indium phosphide et indium gallium arsenide).
En janvier 2002, ce groupe de chercheurs avait annoncé un transistor gravé en 150 nanomètres à une fréquence de 382 gigahertz. En mai 2002, le groupe avait réussi à créer un transistor à 452 gigahertz gravé en 125 nanomètres.
La Defense Advanced Research Projects Agency s'y intéresse de près...
Source :
University of Illinois
Teuf
le 7 novembre 2003 à 10:04
(4 202
lectures)
Actualités et brèves relatives
