Transistor CMOS AMD à 3,3 TeraHertz
Après Intel et son annonce de son Transistor TeraHertz... AMD annonce la ...
Après Intel et son annonce de son Transistor TeraHertz...
AMD annonce la fabrication d'un transistor CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) capable de réaliser des vitesses de commutation plus de 3 fois plus rapides qu'Intel. La société a développé un transistor d'une longueur de porte de 15 nanomètres (0,015 micron), un prototype pour ses futurs transistors prévus d'être utilisés dans les futures générations de microprocesseurs.
Ce type de transistor de 15 nm est un prototype clef pour le développement de la génération de gravure 0,03 micron (30 nanomètres), que la société prévoit d'utiliser vers 2009. Des Wafers de 300 mm seront utilisés pour la technologie 0,03 micron.
Le transistor CMOS 15 nm, créé au AMD's Submicron Development Center, fonctionne à 0.8-volts et est conçu pour atteindre 3,33 trillions de commutations par seconde (s'allumer et s'éteindre).
AMD annonce la fabrication d'un transistor CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) capable de réaliser des vitesses de commutation plus de 3 fois plus rapides qu'Intel. La société a développé un transistor d'une longueur de porte de 15 nanomètres (0,015 micron), un prototype pour ses futurs transistors prévus d'être utilisés dans les futures générations de microprocesseurs.
Ce type de transistor de 15 nm est un prototype clef pour le développement de la génération de gravure 0,03 micron (30 nanomètres), que la société prévoit d'utiliser vers 2009. Des Wafers de 300 mm seront utilisés pour la technologie 0,03 micron.
Le transistor CMOS 15 nm, créé au AMD's Submicron Development Center, fonctionne à 0.8-volts et est conçu pour atteindre 3,33 trillions de commutations par seconde (s'allumer et s'éteindre).
Source :
AMD
Teuf
le 4 décembre 2001 à 10:47
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