Technologie 0.10 µ en retard
La société NEC et sa filiale de semi-conducteur aux Etats-Unis, NEC ...
La société NEC et sa filiale de semi-conducteur aux Etats-Unis, NEC Electronics, viennent d’annoncer qu'ils ont achevé le développement du processus de gravure en 0.10 micron pour l’électronique grand public de deuxième génération, les processeurs, les téléphones portables, les équipements de transmission et les serveurs Internet.
La technologie de processus UX6 a besoin de seulement 1.0 volt pour les opérations des transistors et est dotée de portes logiques superfines de 65 nm. Pour l’UX6, NEC a adopté le silicium.
NEC et TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ont collaboré ensemble pour développer leur technologie pour la génération 0.10 µ.
Pour voir le communiqué de presse de Nec, cliquez sur la source.
TSMC et NEC projettent de commencer à utiliser cette nouvelle technologie dans le premier trimestre 2003, prévu iniatialement pour le troisième trimestre 2002.
La technologie de processus UX6 a besoin de seulement 1.0 volt pour les opérations des transistors et est dotée de portes logiques superfines de 65 nm. Pour l’UX6, NEC a adopté le silicium.
NEC et TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ont collaboré ensemble pour développer leur technologie pour la génération 0.10 µ.
Pour voir le communiqué de presse de Nec, cliquez sur la source.
TSMC et NEC projettent de commencer à utiliser cette nouvelle technologie dans le premier trimestre 2003, prévu iniatialement pour le troisième trimestre 2002.
Source :
NEC
Teuf
le 12 juillet 2001 à 11:16
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