Samsung prêt pour une mémoire flash 8 Go!

Lors d'une conférence de presse, Samsung Electronics a déclaré avoir développé une puce de mémoire flash d'une capacité de 4 Gb.

Cette puce (mémoire flash NAND) de 4 Gb dispose d'une finesse de gravure de 70 nanomètres. Les cellules de mémoire mesurent 0,025 micromètre carré chacune.

Combinées à d'autres puces, Samsung se dit ainsi capable de créer un module d'une capacité totales de 8 Go.

Le prix d'une telle mémoire n'a pas été encore dévoilé, mais il est facile d'imaginer qu'il sera hors du commun...

Merci Tangui ;-)

Source : The Korea Herald

Teuf le 30 septembre 2003 à 08:49 (2 572 lectures)

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