SRAM 0,09 micron chez Intel
Les chercheurs d’Intel ont construit la SRAM (Static Random Access ...
Les chercheurs d’Intel ont construit la SRAM (Static Random Access Memory), la plus petite cellule de mémoire au monde, mesurant seulement un micron carré. Les puces de ces cellules de mémoire sont gravées en 90 nanomètres (0,09 micron).
Ce processus entrera en production en 2003.
Avec la technologie 90 nm, Intel indique qu’il est en mesure d’étendre sa présentation de nouvelle génération de processus tous les deux ans. La société utilisera ce processus dans ses produits tels que les processeurs, les chipsets et les produits de communications. Intel projette d’utiliser la technologie 90 nm exclusivement sur des wafers de 300mm.
Les chercheurs d'Intel ont construit des chips de 52 mégabits (capable de stocker 52 millions de bits individuels d'information), contenant 330 millions de transistors sur une surface de seulement 109mm2, plus petit qu'une pièce de monnaie de dix cents d'Euro, précise la société…
Ce processus entrera en production en 2003.
Avec la technologie 90 nm, Intel indique qu’il est en mesure d’étendre sa présentation de nouvelle génération de processus tous les deux ans. La société utilisera ce processus dans ses produits tels que les processeurs, les chipsets et les produits de communications. Intel projette d’utiliser la technologie 90 nm exclusivement sur des wafers de 300mm.
Les chercheurs d'Intel ont construit des chips de 52 mégabits (capable de stocker 52 millions de bits individuels d'information), contenant 330 millions de transistors sur une surface de seulement 109mm2, plus petit qu'une pièce de monnaie de dix cents d'Euro, précise la société…
Source :
Inpact-Hardware
Teuf
le 12 mars 2002 à 14:41
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