Mémoire RDRAM en 0.12µ

Samsung a annoncé le développement de la première mémoire RDRAM de 576 megabits à une gravure de 0.12µ. D’après eux, cette mémoire peut opérer à une fréquence de 1,066 GHz, soit environ huit fois plus vite qu’une barrette de SDRAM PC133. Par l’occasion Samsung déclara que cette mémoire était surtout dédiées aux gros serveurs ou stations de travail.

Un des avantages du procédé à 0.12µ est aussi la baisse du coût de production de la mémoire RAMBUS, Ce qui n’est pas un mal. Cependant, Samsung a annoncé que la production en masse commencera au second trimestre 2002 en modules de 128 et 256 Mo.

Source : Silicon Strategies

Alex le 28 septembre 2001 à 10:16 (1 941 lectures)

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