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Mémoire Flash à 4 bits par cellule, capacité doublée

Quand le progrès dépasse Flash Gordon

Saifun Semiconductors vient de présenter sa technologie Quad NROM destinée à la mémoire Flash. Ce Quad NROM est le premier procédé permettant de stocker 4 bits de données dans une cellule de mémoire Flash.

La technologie double alors ce qui se fait actuellement, avec les technologies de type MirrorBit, qui permettent de stocker 2 bits de données par cellule. A l'origine, la technologie NROM de l'entreprise israélienne Saifun date de 1998, et consistait à stocker 2 bits par cellule. Mais le Quad NROM arrive à point pour doubler la capacité de stockage d'une cellule, tout en allégeant l'architecture et la production de la mémoire, selon l'entreprise.

Si cette technologie confirme son intérêt, on pourrait alors voir des périphériques de mémoire flash proposant deux fois plus de capacité de stockage pour une puce de même taille. Un bond en avant pas négligeable.

Le Quad NROM se passerait effectivement de 40 % des étapes les plus difficiles du processus de fabrication. Ceci permettrait du coup d'augmenter les rendements, la qualité et la quantité de mémoires produites. Les détails sur la technologie de stockage des 4 bits de données sont encore très minces.

Saifun est une des startups les plus en vogue depuis ces dernières années. Après avoir vendus plusieurs de ses technologies à de grands producteurs de mémoire flash comme Spansion (filiale d'AMD), ou encore Infineon, l'entreprise a réussi avec succès son entrée en bourse en novembre dernier.
le 7 décembre 2005 à 14:06 (11 040 lectures)