Intel : Plus c'est petit, plus c'est puissant
Intel a réussi à fabriquer une puce SRAM (Static Random Access Memory) ...
Intel a réussi à fabriquer une puce SRAM (Static Random Access Memory) entièrement fonctionnelle gravée en 65 nanomètres dans son usine baptisée D1D à Hillsboro en Oregon. Il y a 20 mois, la firme avait conçu une puce SRAM gravée en 90 nanomètres. Selon elle, le processus 65 nm permettra de multiplier par 2 le nombre de transistors présent dans les puces, comparé à ce que l'on connaît aujourd'hui.
Le concepteur indique qu'il a utilisé des transistors basses puissances, une seconde génération de silicium, une interconnection en cuivre high-speed et un matériau diélectrique low-k.
Intel prévoit d'utiliser en masse cette technologie en 2005.
Le concepteur indique qu'il a utilisé des transistors basses puissances, une seconde génération de silicium, une interconnection en cuivre high-speed et un matériau diélectrique low-k.
Intel prévoit d'utiliser en masse cette technologie en 2005.
Teuf
le 25 novembre 2003 à 07:50
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