IBM fabrique des transistors en germanium étiré

Le fondeur IBM vient d'annoncer la naissance de la plus petite cellule de SRAM au monde, et la fabrication du premier transistor à l'aide de germanium étiré.

Selon IBM, cette cellule de SRAM serait 10 fois plus petite que les cellules actuelles, qui mesurent environ 1µm². Il n'est toutefois pas le seul à développer des cellules aussi petites et technologiques, puisque Texas Instruments a récemment annoncé avoir réussi à en fabriquer une de 0.49µm², gravée en 65nm, et qui embarque près de 930 000 gates.

En ce qui concerne le transistor en germanium étiré (strained), IBM a prouvé que cette technologie permettait de proposer trois fois plus de performances qu'un transistor classique. Il se base en fait sur un transistor en silicium à qui l'on a rajouté une couche de germanium, là où circule les courants électriques (canal).

C'est la combinaison de la technologie des matériaux étirés et des excellentes propriétés du germanium qui devrait permettre dans un premier temps de proposer de meilleures performances. Ce type de procédé devrait être intégré dans les composants lorsque ceux-ci bénéficieront d'une finesse de gravure inférieure ou égale à 32nm.

Source : THG

David_S le 7 décembre 2004 à 11:33 (5 552 lectures)

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