IBM et AMD très fières de la technologie "strained silicon"

Les technologies des processeurs sont sans cesse améliorées pour repousser les limites de la miniaturisation. La fameuse loi de Moore est ainsi toujours d’actualité bien qu’elle ressemble avec le temps qui passe à une prophétie qui s’auto-réalise. IBM et AMD collaborent depuis 2003 sur les processus de fabrication des processeurs et les deux sociétés annonçaient d’ailleurs le mois dernier que leur partenariat porterait également sur les finesses de gravures 32 et 22nm.

Actuellement, ce sont les finesses 65 et 45nm qui occupent les deux firmes. Elles préparent en particulier l’arrivée du 65nm avec un ensemble de nouvelles technologies dont, en particulier, le « strained silicon ». Ce dernier permet en fait, grossièrement, d’étirer les atomes de silicium pour améliorer le flux des électrons. La technologie n’est pas nouvelle : Intel l’utilise déjà, et AMD l’avait introduite dans ses processeurs 90nm.

Cette technologie aurait cependant, selon IBM et AMD, fait un bon avant avec un gain significatif de 40% en termes de performances. La technologie utilise précisément une couche de germanium, dont nous vous avions déjà parlé. Parallèlement à l’amélioration du strained silicon, IBM et AMD ont également indiqué que les isolants avaient été améliorés, permettant de « réduire les délais d’interconnexion, d’améliorer les performances globales et de diminuer la consommation d’énergie. »

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