Elpida produit de la mémoire DDR2 en 80 nm, 2Gbit
Elpida vient d'annoncer de nouvelles puces de mémoires vives gravées à une ...
Elpida vient d'annoncer de nouvelles puces de mémoires vives gravées à une finesse de 80 nm. Une seule puce de DDR pourra alors embarquer une capacité de 2 Gbit, soit 256 Mo de RAM, certifiée DDR2-800.
Elpida affirme que ce nouveau processus de gravure permettra la production de mémoires plus rapides, mais ne précise rien quant aux timings possibles. La société compte aussi produire des puces de 1Gbit (128 Mo) en 80 nm. Le tout sera compatible DIMM et FB-DIMM (Fully-Buffered DIMM).
Elle promet aussi que la flexibilité de ces puces à 80 nm permettra l'assemblage de barrettes de RAM DDR2 de 4 Go, et même de 8 Go !
Pendant ce temps en Corée du Sud, Samsung annonce le lancement de sa production de puces de 1Gbit de mémoire DDR2 en 90 nm. La mémoire fonctionnera à 400 et 533 MHz. La marque prévoit de migrer toute sa production de mémoire en 90 nm d'ici à juillet 2005, pour produire alors 1 million de puces de 1 Gbit par mois, sur des wafers de 300 mm.
Elpida affirme que ce nouveau processus de gravure permettra la production de mémoires plus rapides, mais ne précise rien quant aux timings possibles. La société compte aussi produire des puces de 1Gbit (128 Mo) en 80 nm. Le tout sera compatible DIMM et FB-DIMM (Fully-Buffered DIMM).
Elle promet aussi que la flexibilité de ces puces à 80 nm permettra l'assemblage de barrettes de RAM DDR2 de 4 Go, et même de 8 Go !
Pendant ce temps en Corée du Sud, Samsung annonce le lancement de sa production de puces de 1Gbit de mémoire DDR2 en 90 nm. La mémoire fonctionnera à 400 et 533 MHz. La marque prévoit de migrer toute sa production de mémoire en 90 nm d'ici à juillet 2005, pour produire alors 1 million de puces de 1 Gbit par mois, sur des wafers de 300 mm.
Bruno Cormier
le 27 juin 2005 à 15:35
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