Diodes laser violet de gallium nitride
Les laboratoires Optoelectronics and Systems (OES) ont développé avec ...
Les laboratoires Optoelectronics and Systems (OES) ont développé avec succès, au Industrial Technology Research Institute (ITRI), des diodes laser violet de gallium nitride (GaN). Le lancement officiel débute aujourd'hui.
Les diodes laser GaN sont généralement utilisées dans les têtes de pick-up pour les lecteurs de DVD haute capacité (15 Go).
OES a achevé le développement en utilisant le processus MOCVD (metallo-organic chemical vapor deposition : Déposition de vapeur chimique metallo-organique) sur des wafers epitaxiaux.
OES a également développé des LED (light-emitting diodes) GaN, qui ont pour avantage d'avoir une plus longue durée de vie et une meilleure dispersion de chaleur.
Source :
Digitimes
Teuf
le 28 décembre 2001 à 14:58
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