Samsung : la DDR3 en 20 nm qui consomme 40 % de moins

Samsung vient de franchir un nouveau cap concernant la finesse de gravure des puces de DDR3, puisque le constructeur annonce l'ouverture d'une usine capable d'exploiter le 20 nm. Elle se situe dans le Gyeonggi, une province de Corée du Sud, et prend le doux nom de Line-16.


Les premières puces sorties des chaînes ont une densité de 256 Mo, mais le fabricant annonce qu'il doublera ce chiffre dès la fin de l'année, soit des puces de 512 Mo. Nous devrions donc retrouver des barrettes de 4, 8, 16 ou 32 Go dès le début de l'année prochaine.

Il annonce aussi que cette nouvelle finesse de gravure de 20 nm permet une baisse de la consommation de l'ordre de 40 % par rapport à des modèles en 30 nm. Un point qu'il faudra attendre de vérifier.

Cela pourrait être particulièrement INtéressant dans deux domaines que sont les appareils portables (ordinateur, smartphones, etc.) mais aussi du côté des serveurs où les quantités nécessaires explosent, la consommation avec. 

Il faudra aussi voir quelle est l'incidence sur le prix de la mémoire vive qui est au plus bas depuis quelques mois maintenant. Ces nouveautés seront-elles une manière de retrouver des marges plus confortables ?

Le 22 septembre 2011 à 16:16 (10 884 lectures)

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