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IDF 2011 : Hybrid Memory Cube, 120 Go/s pour seulement 8 watts

Bientôt dispo dans la vraie vie ?

Hier, lors d'une table ronde Justin Rattner, l'actuel CTO d'Intel, montrait un nouveau type de module de mémoire actuellement en cours de développement avec Micron : l'Hybrid Memory Cube. Le but ? Offrir une bande passante bien plus importante avec une consommation minimale.

IDF 2011 Hybrid Memory Cube

Ainsi, un module de 512 Mo annonce un débit de 128 Go/s, soit 1 Tbps, et une consommation de 8 W sous une tension de 1.2 V. À titre de comparaison, pour un module de 4 Go de DDR3 @ 1333 MHz sous 1.5 V, il est question de 10.7 Go/s et de 4.6 W.

On arrive ainsi à 62 mW / Go/s contre 432 pour la génération actuelle, ce qui est plutôt prometteur, notamment pour les data centers, mais aussi pour les plateformes où la consommation est un facteur critique.

IDF 2011 Hybrid Memory Cube IDF 2011 Hybrid Memory Cube

Une démonstration de ce module nous a été faite, indiquant une bande passante mesurée de 121 Go/s. Malheureusement, aucune information n'a été donnée concernant une éventuelle arrivée au stade de produit fini.
le 15 septembre 2011 à 20:30 (14 149 lectures)