Hier, lors d'une table ronde Justin Rattner, l'actuel CTO d'Intel, montrait un nouveau type de module de mémoire actuellement en cours de développement avec Micron : l'Hybrid Memory Cube. Le but ? Offrir une bande passante bien plus importante avec une consommation minimale.
Ainsi, un module de 512 Mo annonce un débit de 128 Go/s, soit 1 Tbps, et une consommation de 8 W sous une tension de 1.2 V. À titre de comparaison, pour un module de 4 Go de DDR3 @ 1333 MHz sous 1.5 V, il est question de 10.7 Go/s et de 4.6 W.
On arrive ainsi à 62 mW / Go/s contre 432 pour la génération actuelle, ce qui est plutôt prometteur, notamment pour les data centers, mais aussi pour les plateformes où la consommation est un facteur critique.
Une démonstration de ce module nous a été faite, indiquant une bande passante mesurée de 121 Go/s. Malheureusement, aucune information n'a été donnée concernant une éventuelle arrivée au stade de produit fini.
Ainsi, un module de 512 Mo annonce un débit de 128 Go/s, soit 1 Tbps, et une consommation de 8 W sous une tension de 1.2 V. À titre de comparaison, pour un module de 4 Go de DDR3 @ 1333 MHz sous 1.5 V, il est question de 10.7 Go/s et de 4.6 W.
On arrive ainsi à 62 mW / Go/s contre 432 pour la génération actuelle, ce qui est plutôt prometteur, notamment pour les data centers, mais aussi pour les plateformes où la consommation est un facteur critique.
Une démonstration de ce module nous a été faite, indiquant une bande passante mesurée de 121 Go/s. Malheureusement, aucune information n'a été donnée concernant une éventuelle arrivée au stade de produit fini.
David Legrand
le 15 septembre 2011 à 20:30
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