IDF 09 : Moorestown retardé... mais pour la bonne cause

Lors de sa keynote, Dadi Perlmutter a reparlé brièvement des plateformes Atom basse consommation dédiées aux MID et autres smartphones dont les prochaines générations sont Moorestown et Medfield.


Si peu de détails ont été donnés sur Medfield, nous nous sommes interrogés quant au retard de Moorestown qui nous avait été présenté l'année dernière comme un projet pour 2009 / 2010.

D'après nos informations, les équipes d'Intel prévoyaient au départ d'introduire certaines fonctionnalités d'économie d'énergie uniquement avec la génération Medfield. Le fondeur parlait d'ailleurs à l'époque d'une réduction de la consommation au repos de près de 10x pour la génération Moorestown.


Mais les recherches des ingénieurs concernant le « Power Gating », permettant d'éteindre complètement les différentes parties de la puce, ont avancé plus vite que prévu et il a finalement été décidé d'implanter ce concept directement dans Moorestown.

Ainsi, Intel évoque désormais une puissance au repos jusqu'à 50x inférieure par rapport à la génération actuelle et montre une image thermique de sa puce afin d'expliquer le concept de manière assez simple


Mais Moorestown est bien plus complexe que ça. Il intègre en effet désormais le contrôleur mémoire ainsi que la partie graphique directement dans la puce principale gravée en 45 nm. Le chipset restant, lui, gravé en 65 nm.

De plus, comme pour l'architecture Nehalem, il est capable d'appliquer un coup de boost à sa fréquence en cas de besoin, dans les limites de températures fixées par Intel, ce qui est dans la nouvelle philosophie HUGI (Hurry Up and Get Idle) du constructeur. Il en est d'ailleurs de même pour son bus

Ceux qui s'INtéressent au sujet dans le détail pourront trouver l'ensemble de leurs réponses via cette documentation, disponible sur le site d'Intel dédié à l'IDF.

Le 24 septembre 2009 à 17:42 (11 696 lectures)

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