Samsung premier sur les puces de 2 Gbits de DDR3 en 40 nm

Samsung affirme être le premier fabricant à produire en masse des puces de 2 Gbits de mémoire vive DDR3 gravée en 40 nm.

C'est que la RAM DDR3 commence à sérieusement s'installer sur le marché, avec de bonnes prévisions de croissance avant même la fin de l'année 2009. Les plus optimistes pensent que la DDR3 occupera 30 % du marché à la fin de l'année, voire début 2010. Samsung compte bien surfer sur cette tendance. Selon Samsung, les puces de 2 Gbits de RAM représenteront 82 % du marché en 2012, et deviendront majoritaires dès 2010.


Et pour cause, Samsung précise aussi que cette gravure en 40 nm permet une amélioration de la productivité de 60 % par rapport à des puces gravées en 50 nm. Un gain de rentabilité pour le fabricant coréen de mémoire. Ces puces se destinent spécialement aux barrettes de mémoire RDIMM pour les serveurs, qui pourront monter jusqu'à 16 Go de capacité, et SODIMM pour portable avec un maximum de 4 Go de capacité.

En prime, ces puces consommeront moins. Elles sont capables de fonctionner à 1600 MHz sur une tension de 1,35 V seulement.

Bruno Cormier le 22 juillet 2009 à 12:05 (9 767 lectures)

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