Les premières annonces de Samsung sur la technologie PRAM datent de 2006. Trois ans après, la firme coréenne affirme préparer la production massive de cette nouvelle mémoire à changement de phase pour le mois prochain.
Cette PRAM est destinée à remplacer la mémoire flash, grâce à des performances bien supérieures. La PRAM regroupe à la fois les avantages de la mémoire flash NOR et NAND : des débits de transfert 30 fois supérieurs, une durée de vie 10 fois plus longue en termes de cycle écriture-effacement, et des temps d'accès aléatoire beaucoup plus rapide que ceux de la flash NOR.
Samsung affirme être en mesure de produire massivement cette PRAM dès le mois de juin prochain. Des puces de 512 Mo de capacité, qui commenceront donc à être vraiment intéressantes pour les produits grand public d'aujourd'hui. Aucun produit n'est encore annoncé, mais on compte sur Samsung pour exhiber quelques prototypes suffisamment sexy pour motiver les fabricants.
Cette PRAM est destinée à remplacer la mémoire flash, grâce à des performances bien supérieures. La PRAM regroupe à la fois les avantages de la mémoire flash NOR et NAND : des débits de transfert 30 fois supérieurs, une durée de vie 10 fois plus longue en termes de cycle écriture-effacement, et des temps d'accès aléatoire beaucoup plus rapide que ceux de la flash NOR.Samsung affirme être en mesure de produire massivement cette PRAM dès le mois de juin prochain. Des puces de 512 Mo de capacité, qui commenceront donc à être vraiment intéressantes pour les produits grand public d'aujourd'hui. Aucun produit n'est encore annoncé, mais on compte sur Samsung pour exhiber quelques prototypes suffisamment sexy pour motiver les fabricants.
Bruno Cormier
le 6 mai 2009 à 16:23
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