Le site Xbit-labs rapporte qu'Intel travaille en ce moment sur de nouveaux procédés de fabrication de processeurs, des techniques qui pourraient réduire de 90 % leur consommation.
Dans ses dernières publications, les chercheurs d'Intel affirment qu'il est possible de former des microprocesseurs composés de transistor « P-channel » sur un substrat de silicium, en exploitant des semiconducteurs composés de matériaux « III-V », estampillés ainsi en référence à leur classement dans le tableau périodique des éléments. Ces matériaux sont y effectivement juxtaposés au silicium, dans les colonnes III A et V A.
En combinant ces transistors P-channel à d'autres transistors N-channel qu'Intel avait aussi mis au point l'année dernière par des composés de matériaux III-V, les chercheurs expliquent qu'ils obtiennent les circuits les plus efficaces jamais créés. Il serait ainsi possible de fabriquer des circuits CMOS fonctionnels sur une tension 50 % inférieure, et avec une consommation énergétique équivalant à seulement 10 % de celle des puces actuelles.
Cette avancée, si elle est vraiment massivement exploitable en termes de production, pourrait révolutionner la consommation de tout type de puces électroniques : CPU, mais aussi GPU et tout autre circuit intégré. Ceci permettrait du coup d'augmenter considérablement la complexité des puces électroniques sans augmenter leur consommation, ni leur dissipation thermique. Il faudra cependant attendre encore plusieurs années avant que les chercheurs fixent les composés de matériaux adaptés à une production massive et optimisés pour ce type d'utilisation, la révolution n'est donc pas pour tout de suite.
Dans ses dernières publications, les chercheurs d'Intel affirment qu'il est possible de former des microprocesseurs composés de transistor « P-channel » sur un substrat de silicium, en exploitant des semiconducteurs composés de matériaux « III-V », estampillés ainsi en référence à leur classement dans le tableau périodique des éléments. Ces matériaux sont y effectivement juxtaposés au silicium, dans les colonnes III A et V A.
En combinant ces transistors P-channel à d'autres transistors N-channel qu'Intel avait aussi mis au point l'année dernière par des composés de matériaux III-V, les chercheurs expliquent qu'ils obtiennent les circuits les plus efficaces jamais créés. Il serait ainsi possible de fabriquer des circuits CMOS fonctionnels sur une tension 50 % inférieure, et avec une consommation énergétique équivalant à seulement 10 % de celle des puces actuelles.Cette avancée, si elle est vraiment massivement exploitable en termes de production, pourrait révolutionner la consommation de tout type de puces électroniques : CPU, mais aussi GPU et tout autre circuit intégré. Ceci permettrait du coup d'augmenter considérablement la complexité des puces électroniques sans augmenter leur consommation, ni leur dissipation thermique. Il faudra cependant attendre encore plusieurs années avant que les chercheurs fixent les composés de matériaux adaptés à une production massive et optimisés pour ce type d'utilisation, la révolution n'est donc pas pour tout de suite.
Bruno Cormier
le 6 avril 2009 à 10:41
(30 560
lectures)
Actualités et brèves relatives
- 01 / 04 / 2009 : Essai du dernier processeur Xeon W5580 signé Intel
- 23 / 03 / 2009 : Vers deux nouveaux CPU Atom Z515 et Z550 dès la mi-avril
- 19 / 03 / 2009 : Le Phenom II X4 955 à 3,2 GHz débarquerait le 20 avril prochain
- 17 / 03 / 2009 : Usines séparées d'AMD : Intel invoque une violation de licence
- 11 / 03 / 2009 : Intel Pentium E3200 en 45 nm : futur remplaçant des Celeron ?
- 10 / 03 / 2009 : Phenom II X3 720 à 3,7 GHz contre Phenom X4 à 3 GHz
- 09 / 03 / 2009 : Mininova harcelé par une attaque de DDoS
- 02 / 03 / 2009 : Intel : TSMC fabriquera désormais les puces SoC à base d'Atom






