Samsung gravera massivement sa DDR3 en 40 nm à la fin 2009

Samsung annonce que son processus de gravure en 40 nm sera capable de produire massivement de la mémoire vive DDR3 avant la fin de cette année.

Pour l'instant, la firme coréenne vient juste de valider des puces de DDR2 en 40 nm dans le cadre du programme de certification d'Intel (Intel Platform Validation). Des barrettes au format SO-DIMM composées de puces de 1 Gbit tournant à 800 MHz, et qui offrent un intérêt tout particulier dans le secteur des ordinateurs portables, basse tension oblige.

Samsung affirme maintenant que sa DDR3 en 40 nm sera en production massive avant la fin de l'année. Les premières puces du genre offriront une capacité de 2Gbit, mais on ne connaît aucune autre caractéristique concernant leur fréquence ou leur tension de fonctionnement. On sait juste que les puces de DDR2 validées en 40 nm offrent une économie d'énergie de 30 % par rapport à celles gravées en 50 nm.

Bruno Cormier le 20 février 2009 à 15:38 (6 931 lectures)

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