Sandisk annonce avec Toshiba une nouvelle mémoire flash qui va donner un coup d'accélérateur à la progression de la densité de stockage dans le secteur.
Cette mémoire est tout d'abord gravée en 32 nm, un record dans le genre, et elle est surtout capable de stocker 3 bits par cellule. De quoi donner des puces de 32 Go de capacité sur un die capable de s'incruster dans une carte-mémoire au format MicroSD.
Sandisk et Toshiba doublent la capacité de stockage d'une puce MLC au format MicroSD gravée en 43 nm. Ils visent ici le marché des téléphones portables et des lecteurs multimédias, particulièrement ceux qui sont dotés d'un port d'extension de mémoire MicroSD.
Les deux alliés vont même plus loin, après la flash X3, ils préparent une mémoire X4, à 4 bits par cellule. Cette technologie nécessite un nouveau contrôleur-mémoire, et serait capable de tenir les 7,8 Mo/s de débit de transfert. Une même puce MicroSD pourrait alors monter à 64 Go de capacité de stockage.
Toshiba et Sandisk commenceront à produire leur mémoire flash X3 en 32 nm au cours de la seconde moitié de l'année 2009.
Cette mémoire est tout d'abord gravée en 32 nm, un record dans le genre, et elle est surtout capable de stocker 3 bits par cellule. De quoi donner des puces de 32 Go de capacité sur un die capable de s'incruster dans une carte-mémoire au format MicroSD.
Sandisk et Toshiba doublent la capacité de stockage d'une puce MLC au format MicroSD gravée en 43 nm. Ils visent ici le marché des téléphones portables et des lecteurs multimédias, particulièrement ceux qui sont dotés d'un port d'extension de mémoire MicroSD.
Les deux alliés vont même plus loin, après la flash X3, ils préparent une mémoire X4, à 4 bits par cellule. Cette technologie nécessite un nouveau contrôleur-mémoire, et serait capable de tenir les 7,8 Mo/s de débit de transfert. Une même puce MicroSD pourrait alors monter à 64 Go de capacité de stockage.
Toshiba et Sandisk commenceront à produire leur mémoire flash X3 en 32 nm au cours de la seconde moitié de l'année 2009.
Bruno Cormier
le 11 février 2009 à 10:30
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