Hynix valide sa mémoire DDR3 en 40 nm, jusqu'à 2133 MHz

Hynix vient d'annoncer la validation de nouvelles puces de DDR3 par Intel. Le fabricant de mémoire passe, comme ses concurrents, à une finesse de gravure de 40 nm, et augmente les cadences.

Ces puces de 1 Gbit de capacité montent jusqu'à 2133 MHz (1066 MHz DDR), et elles pourront évidemment tourner à des fréquences inférieures avec une tension plus basse.


Le procédé de gravure en 40 nm augmente la productivité du fabricant de 50 % par rapport au procédé en 50 nm, explique Hynix. Il met aussi en pratique une nouvelle technologie de « transistor tridimensionnel », qui permet de minimiser les pertes de courant et donc de réduire la consommation globale d'énergie.

Ces nouvelles puces de DDR3 en 40 nm seront massivement disponibles au troisième trimestre 2009, selon Hynix. La firme compte d'ailleurs étendre le même procédé de gravure en 40 nm à ses autres produits : mémoire flash, mémoire vive mobile et mémoire graphique.

Bruno Cormier le 10 février 2009 à 11:25 (7 784 lectures)

Tweeter

• 09 / 02 / 2009 : Toshiba présente la FeRAM la plus rapide et la plus dense
• 06 / 02 / 2009 : Corsair lance de la RAM haut de gamme : la Dominator GT
• 05 / 02 / 2009 : Samsung valide une première barrette de DDR2 en 40 nm
• 04 / 02 / 2009 : Qimonda dévoile sa RAM DDR3 en 46 nm, la plus fine du monde
• 03 / 02 / 2009 : Test du kit de 6 Go de DDR3-2000 triple canal signé Kingston
• 29 / 01 / 2009 : Premières puces de DDR3 de 4 Gbits au monde chez Samsung
• 28 / 01 / 2009 : De la RAM DDR2 Special Edition pour les joueurs chez Mushkin
• 24 / 11 / 2008 : Hynix produit la RAM GDDR5 la plus rapide du monde : 7 GHz

Actu Précédente Actu Suivante