Samsung annonce avoir validé les premières puces et la toute première barrette de mémoire vive du monde à être gravée en 40 nm.
Ces puces de RAM DDR2 en 40 nm offre chacune 1 Gbits (128 Mo) de capacité, et fonctionnent à 400 MHz (800 MHz DDR). Elles sont au nombre de huit sur une barrette au format SO-DIMM qui vient tout juste d'être certifiée fonctionnelle par Intel dans son programme de validation destiné à ses chipsets mobiles GM45.
Aujourd'hui donc, Qimonda est à la pointe de la gravure avec sa mémoire DDR3 en 46 nm, et Samsung garde la tête pour la DDR2 avec une gravure en 40 nm. Cette finesse de gravure permettra à la RAM de fonctionner sur des tensions inférieures, pour consommer 30 % moins d'énergie, et surtout de diminuer les coûts de production en plaçant plus de puces sur un même wafer.
Samsung compte appliquer son processus de gravure en 40 nm au sein de ses lignes de production de RAM DDR3 à la fin de l'année 2009. La firme pense déjà au passage à la DDR4 avec une première étape en 40 nm...
Ces puces de RAM DDR2 en 40 nm offre chacune 1 Gbits (128 Mo) de capacité, et fonctionnent à 400 MHz (800 MHz DDR). Elles sont au nombre de huit sur une barrette au format SO-DIMM qui vient tout juste d'être certifiée fonctionnelle par Intel dans son programme de validation destiné à ses chipsets mobiles GM45.
Aujourd'hui donc, Qimonda est à la pointe de la gravure avec sa mémoire DDR3 en 46 nm, et Samsung garde la tête pour la DDR2 avec une gravure en 40 nm. Cette finesse de gravure permettra à la RAM de fonctionner sur des tensions inférieures, pour consommer 30 % moins d'énergie, et surtout de diminuer les coûts de production en plaçant plus de puces sur un même wafer.
Samsung compte appliquer son processus de gravure en 40 nm au sein de ses lignes de production de RAM DDR3 à la fin de l'année 2009. La firme pense déjà au passage à la DDR4 avec une première étape en 40 nm...
Bruno Cormier
le 5 février 2009 à 10:24
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