Premières puces de DDR3 de 4 Gbits au monde chez Samsung

Samsung annonce un grand bond de densité dans le secteur de la mémoire vive, grâce à son dernier processus de gravure en 50 nm.

La firme dévoile les toutes premières puces de mémoire DDR3 au monde offrant 4 Gbits de capacité. De quoi produire des barrettes de mémoire RDIMM de 16 Go de capacité, et de 8 Go aux formats DIMM et SO-DIMM. En utilisant sa technologie « double die », qui consiste à superposer deux puces de RAM l'une sur l'autre, Samsung affirme pouvoir même produire des barrettes montant à 32 Go de RAM.


Ces puces de 4 Gbits de DDR3 fonctionnent à partir d'une tension de 1,35 V seulement, sur une fréquence de 800 MHz (1600 MHz DDR). De quoi réduire encore la consommation par rapport au standard DDR3, qui préconise une tension à 1,5 V.

Selon IDC, la DDR3 représentera 29 % du marché de la mémoire vive en 2009, et 75 % en 2011. Samsung fait donc bien de vite anticiper dans le secteur.

Bruno Cormier le 29 janvier 2009 à 12:23 (10 213 lectures)

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