Intel montre sa gravure en 32 nm, et UMC saute vers le 28 nm
De la SRAM fonctionnelle
Selon EETimes, Intel devrait présenter lors du prochain IEDM 2008 (IEEE International Electron Devices Meeting) une puce fonctionnelle gravée à une finesse de 32 nm.
Le prototype en question regroupera 291 Mbits de SRAM, pour un total de 2 milliards de transistors, tous gravés en 32 nm. Pas de processeur en tant que tel donc, mais l'équivalent de la mémoire cache de ces derniers, démontrant que s'il est possible de graver de la SRAM fonctionnelle en 32 nm, la gravure d'un processeur entier est largement à portée.
Cette puce de SRAM fonctionne à 3,8 GHz sur une tension de 1,1 V. Elle utilise la technologie High-k/Metal Gate dans sa seconde génération, ce qui devrait relever encore son rendement.
Du 28 nm pour UMC
De son côté, le fondeur taïwanais United Microelectronics Corp. (UMC) affirme avoir fabriqué la toute première puce de SRAM fonctionnelle gravée à une finesse de 28 nm. Une prouesse établie grâce à la technologie low-leakage (LL), mise au point par le fondeur lui-même.
Du coup, UMC vole la vedette à Intel. La puce en 32 nm du géant intègre des cellules de mémoire de SRAM de 0,171 micron² seulement, mais celle d'UMC en 28 nm réduit cette taille à seulement 0,122 micron², l'écart est plutôt palpable en termes de densité.
Le prototype en question regroupera 291 Mbits de SRAM, pour un total de 2 milliards de transistors, tous gravés en 32 nm. Pas de processeur en tant que tel donc, mais l'équivalent de la mémoire cache de ces derniers, démontrant que s'il est possible de graver de la SRAM fonctionnelle en 32 nm, la gravure d'un processeur entier est largement à portée.Cette puce de SRAM fonctionne à 3,8 GHz sur une tension de 1,1 V. Elle utilise la technologie High-k/Metal Gate dans sa seconde génération, ce qui devrait relever encore son rendement.
Du 28 nm pour UMC
De son côté, le fondeur taïwanais United Microelectronics Corp. (UMC) affirme avoir fabriqué la toute première puce de SRAM fonctionnelle gravée à une finesse de 28 nm. Une prouesse établie grâce à la technologie low-leakage (LL), mise au point par le fondeur lui-même.
Du coup, UMC vole la vedette à Intel. La puce en 32 nm du géant intègre des cellules de mémoire de SRAM de 0,171 micron² seulement, mais celle d'UMC en 28 nm réduit cette taille à seulement 0,122 micron², l'écart est plutôt palpable en termes de densité.
Bruno Cormier
le 29 octobre 2008 à 10:22
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