Toshiba veut graver sa mémoire Flash NAND en 43 nm dès 2009

Les temps sont durs pour les fabricants de mémoire vive et de flash NAND. Les prix dégringolent, les productions s'accumulent, il faut donc absolument réagir pour tenter de préserver ses marges. L'un des moyens, c'est d'affiner la gravure, pour placer encore plus de puces de mémoire sur une même galette de silicium, afin d'augmenter le rendement de la production.

Toshiba en est conscient, et compte bien tenter d'amortir la crise du marché en passant le plus vite possible à une finesse de gravure de 43 nm pour l'ensemble de la production de mémoire flash, actuellement fabriquée en 56 nm.

Le Digitimes rapporte que la firme va s'empresser de passer au 43 nm dès le premier trimestre de l'année 2009, et ce, dans l'ensemble de ses lignes de productions, pour totalement laisser le 56 nm à l'abandon.

La firme dominerait ainsi seule la technologie de production du secteur, face à ses concurrents. Le 43 nm lui permettra de réduire les coûts de production, ce qui permettra surtout de limiter les pertes, sans augmenter les profits.

Bruno Cormier,  Le 25 septembre 2008 à 12:33 (8 187 lectures)

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