De la mémoire flash NAND à trois bits par cellule chez Hynix

Hynix Semiconductor vient de mettre au point la première puce de mémoire flash de 32 Go exploitant une technologie à trois bits par cellule, baptisée « X3 ».

Les mémoires flash actuelles utilisent une technologie à un bit par cellule (SLC, Single Level Cell), ou deux bits par cellule (MLC, Multilevel Cell). La nouvelle flash de Hynix offre cette fois 3 bits par cellule, pour offrir trois fois plus de densité que de la flash SLC.

Cette technique permet de réduire significativement le coût de production de la mémoire flash, car elle réduit la surface de la puce de 30 % pour une même capacité de stockage face aux puces de mémoire à 2 bits par cellule, explique Hynix.

En fait, Hynix n'est pas le premier fabricant de mémoire à accéder à cette technologie « three-bit-per-cell ». Sandisk avait déjà créé de la mémoire flash NAND x3 à trois bits par cellule, Spansion et Samsung ont pour leur part déjà fabriqué de la mémoire flash MLC avancée, à 4 bits par cellule cette fois.

Le problème de ces mémoires MLC est qu'elles sont bien plus lentes qu'une mémoire flash SLC classique. La flash à 4 bits par cellule n'a par exemple toujours pas fait de vague sur le marché, sûrement parce qu'elle n'est pas encore totalement fonctionnelle en termes de débit ?

Bruno Cormier le 6 juin 2008 à 16:22 (11 562 lectures)

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