IBM : le spin de l'électron pour booster la mémoire magnétique

IBM travaille actuellement sur un nouveau type de mémoire magnétique qui pourrait à terme remplacer définitivement la mémoire flash, notamment dans les appareils de type baladeurs numériques.

La firme appelle ce type de mémoire « racetrack » (littéralement hippodrome). Cette dernière permettrait de nets avantages par rapport à l’actuelle mémoire flash :

• Performances
• Fiabilité
• Coût et tarif inférieurs
• Plus grande capacité

IBM utilise en fait le spin (état quantique) de l’électron pour stocker davantage de données, dans des colonnes de matériaux magnétiques arrangés horizontalement ou verticalement. Cette technologie devrait évoluer et combiner les deux directions pour créer des structures en trois dimensions, afin d’augmenter encore l’espace de stockage et diminuer le coût de construction.

Autre avantage indéniable, dans le domaine de la fiabilité : ce nouveau type de mémoire permettrait un nombre de lectures et écritures virtuellement infini, contrairement à la mémoire flash.

Pour les retombées dans le domaine commercial, il faudra encore attendre, IBM n’ayant pas donné de date de disponibilité. On notera que Toshiba travaille également sur le spin de l'électron pour son projet de MRAM.

Source : Betanews

Vincent Hermann le 14 avril 2008 à 11:44 (16 772 lectures)

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