Intel et Micron développent de la flash NAND 5 fois plus rapide

IM Flash technologies, la filiale commune créée par Intel et Micron dans le secteur de la mémoire flash, vient de développer une nouvelle technologie de mémoire flash annoncée cinq fois plus rapide que les puces actuelles.

Cette nouvelle mémoire flash NAND atteint des vitesses de transfert de 200 Mo/s en lecture et 100 Mo/s en écriture. Elle est évidemment destinée à exploiter le nouveau bus de transfert de données ONFI 2.0 mis au point par Intel pour améliorer les performances des périphériques de mémoire flash utilisés en tant que mémoire cache.

Les puces en question intègrent de la mémoire 8G-bit SLC, de la NAND « single level cell » moins dense, mais bien plus rapide que les mémoires flash MLC (multi-level cell). Communément, les mémoires flash actuelles stagnent environ à 40 Mo/s en lecture, et 20 Mo/s en écriture.

Intel cite des secteurs d'applications alléchants, comme les disques durs hybrides, les caméscopes numériques HD, les périphériques USB 3.0, et bien sûr le système Turbo Memory du fondeur. IM Flash Technologies propose déjà trois premiers modèles 8, 16 et 32 Gbits de ces puces.

Bruno Cormier le 4 février 2008 à 11:30 (14 121 lectures)

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