Fujitsu présente un prototype de ReRAM perfectionnée

Les chercheurs de Fujitsu viennent d'annoncer la mise au point d'une « Resistive Random Access Memory », de la ReRAM, une mémoire non volatile qui pourrait remplacer l'actuelle mémoire flash.

Cette mémoire a été perfectionnée pour permettre une très faible consommation d'énergie, en changeant certains matériaux qui la composent. Du coup, il est maintenant possible d'effacer des données sur ce prototype de mémoire en appliquant un courant de seulement 100 micro-Ampères, ou même moins, selon Fujitsu.


De plus même lors d'un effacement à très haute vitesse, en seulement 5 nanosecondes, la fluctuation de la résistance électrique des matériaux du prototype, lorsqu'on leur applique une tension, atteint seulement un dixième de la résistance observée jusqu'ici dans les précédents prototypes de mémoire ReRAM. Ceci améliore la maîtrise de ce type de RAM non volatile, tout en permettant sa miniaturisation et une production moins coûteuse.

Fujitsu présente ainsi sa ReRAM comme une alternative sérieuse à la mémoire flash. On en saura plus dans quelques années.

Bruno Cormier le 14 décembre 2007 à 16:30 (18 493 lectures)

Tweeter

• 04 / 12 / 2007 : Hynix passe à la mémoire flash NAND gravée en 48 nm
• 23 / 11 / 2007 : 512 Mo, 1, 2 ou 4 Go pour votre PC portable ?
• 19 / 11 / 2007 : Samsung veut sa propre marque de cartes mémoire flash
• 06 / 11 / 2007 : Première MRAM à stockage perpendiculaire, signée Toshiba
• 23 / 10 / 2007 : Une puce de 64 Gbits de flash NAND en 30 nm chez Samsung
• 15 / 10 / 2007 : Un bus ONFI pour de meilleurs débits avec la Flash NAND
• 09 / 10 / 2007 : Mémoire flash : Toshiba passera au 30 nm en 2009
• 09 / 10 / 2007 : Intel prépare un module Turbo Memory sur interface PCIe

Actu Précédente Actu Suivante