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Hynix passe à la mémoire flash NAND gravée en 48 nm

Gros gain de production

Hynix vient d'annoncer officiellement que sa production massive de mémoire flash NAND gravée en 48 nm commencera dès le début de l'année 2008. La firme coréenne devrait donc être le premier fabricant à passer à une telle finesse de gravure dans ce secteur.

Hynix MCPLe producteur de mémoire explique avoir finalisé la mise au point de ses puces de mémoire flash NAND MLC (Multi Level Cell) de 16 Gbits gravées en 48 nm, ce qui fait tout de même 2 Go de capacité de stockage par puce !

C'est cette puce qui devrait entrer en production de masse en janvier 2008, alors que les autres fabricants en sont encore au stade expérimental. La production augmenterait alors de 15000 à 20000 puces par mois au cours du premier trimestre 2008.

La prochaine étape, toujours selon le même processus en 48 nm, consistera à produire des puces de 8 Go (64 Gbits) de capacité et ce, sur une seule couche en SLC (single level cell). Le processus de gravure en 48 nm permettrait une augmentation de productivité de 90 % par rapport au processus en 60 nm, selon Hynix.

Les géants du secteur de la mémoire flash, Samsung et Toshiba, ne devraient pas commencer la production à 40 nm avant la seconde moitié de l'année prochaine, selon Hynix. En revanche, ces deux fabricants ont signé un accord de partage commun de leur technologie respective OneNAND et LBA-NAND, ce qui pourrait causer quelques difficultés à Hynix.
le 4 décembre 2007 à 16:46 (10 682 lectures)