Une puce de 64 Gbits de flash NAND en 30 nm chez Samsung

Samsung vient de mettre au point la puce de mémoire flash NAND la plus dense au monde. Le coréen a effectivement réussi à caser 64 Gbits de capacité dans une unique puce de mémoire flash NAND, notamment grâce à une gravure en 30 nm.

L'année dernière, Samsung annonçait déjà une puce de 32 Gbits de mémoire flash NAND avec une gravure en 40 nm. La miniaturisation aura permis de doubler cette capacité en moins de temps qu'il n'en faut pour le stocker !


Cette nouvelle puce en 30 nm utilise pour la première fois la technologie SaDPT (Self-aligned Double Patterning Technology), qui permet d'ordonner la gravure à une telle finesse. Le géant coréen explique qu'il devrait aussi exploiter cette technique pour atteindre les 20 nm et les 256 Gbits de capacité (32 Go).

Samsung annonce une production massive de ces puces pour l'année 2009. On a donc encore le temps de s'impatienter : la marque grave actuellement sa mémoire flash NAND en 50 nm, et passera au 40 nm en 2008.

Bruno Cormier le 23 octobre 2007 à 11:56 (11 913 lectures)

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