Mémoire flash : Toshiba passera au 30 nm en 2009

Toshiba prévoit la production de mémoire flash gravée à une finesse de 30 nm pour la seconde moitié de l'année 2009. La firme avait déjà annoncé un passage au 43 nm dès l'année 2008, elle produit actuellement sa mémoire flash en 56 nm.

Cette annonce, relayée par le journal japonais Nikkei, a pour objectif principal de mettre la pression sur le principal concurrent de Toshiba dans le secteur de la mémoire flash, Samsung. Le Coréen s'impose actuellement comme le premier producteur du secteur, Toshiba (associé à Sandisk) reste pour l'instant bon second.

La nouvelle usine de Toshiba et Sandisk, récemment ouverte dans la préfecture de Mie au Japon, devrait commencer la production de mémoire flash en 43 nm dès le mois de décembre prochain, pour une commercialisation en 2008. La course à la finesse de gravure se fait toujours dans une même optique : placer plus de puces sur une même galette de silicium (wafer), pour réduire les coûts de production et tenter de prendre l'avantage sur les tarifs pratiqués sur le marché. De quoi mettre la pression sur Samsung.

Si le passage au 30 nm est prévu pour la seconde moitié de l'année 2009, la production massive de cette mémoire est plutôt prévue pour mars 2010, d'ici là, Samsung a encore le temps de se mettre à niveau. Le Coréen s'est d'ailleurs allié avec IBM, Infineon Chartered Semiconductor et Freescale pour atteindre les 32 nm en 2010.

Bruno Cormier le 9 octobre 2007 à 16:18 (9 603 lectures)

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