DRAM : 2 Gbits en 60 nm chez Samsung, des barrettes de 4 Go

Samsung vient d'annoncer le démarrage de la production de puces de mémoire vive DDR2 800 MHz offrant chacune une capacité de 2 Gbits, soit 256 Mo de RAM. Gravées en 60 nm, ces puces sont les premières du genre sur le marché mondial, affirme Samsung. Il existait déjà des puces de mémoire de 2Gbits en 80 nm, mais ces dernières ne dépassaient pas...Samsung vient d'annoncer le démarrage de la production de puces de mémoire vive DDR2 800 MHz offrant chacune une capacité de 2 Gbits, soit 256 Mo de RAM.

Gravées en 60 nm, ces puces sont les premières du genre sur le marché mondial, affirme Samsung. Il existait déjà des puces de mémoire de 2Gbits en 80 nm, mais ces dernières ne dépassaient pas les 667 MHz en DDR2. Ces dernières puces en 60 nm sont capables d'atteindre les 800 MHz, soit 20 % de bande passante en plus.


Autre avantage de taille pour les marges de Samsung, le passage au 60 nm a permis d'améliorer les rendements de production de 40 %. La marque coréenne promet alors des barrettes de mémoire de 4 Go, et bientôt 8 Go, qui consommeront 30 % d'énergie en moins que des barrettes équivalentes composées de puces de 1 Gbit de mémoire.

Samsung maintient ici sa domination sur le marché de la mémoire vive, et ne perd pas le Nord : « Nous pensons que ces nouvelles puces contribueront à stabiliser le prix de la RAM » explique un responsable. En 2011, les experts estiment que les puces de 2 Gbits de RAM représenteront 47 % du marché de la mémoire vive, pour 14 millions de dollars de revenus globaux.

Bruno Cormier,  Le 13 septembre 2007 à 15:23 (11 445 lectures)

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