Flash NAND MLC 50 nm chez Intel et Micron : puce de 2 Go

Intel et Micron viennent d'annoncer conjointement la mise au point de puces de mémoire flash NAND gravées à une finesse de 50 nm. Ces puces ont une architecture MLC (Multi-Level Cell), qui permet de stocker plusieurs bits de données dans une seule cellule de mémoire, de quoi augmenter considérablement la densité de stockage de la puce.

Ainsi, moins d'un an après l'annonce de leurs premières puces de 4 Gbits de flash NAND SLC (Single Level Cell) en 50 nm, Intel et Micron annoncent maintenant des puces similaires en MLC, capable de stocker quatre fois plus de données. Ces puces offrent en effet 16 Gbits de capacité de stockage, soit 2 Go de données.

Après seulement un an d'activité commune au sein de leur filiale commune IM Flash Technologies, Intel et Micron se targuent déjà d'être à la pointe technologique de la mémoire flash NAND : « Après seulement un an, Micron et Intel ont développé de la mémoire flash NAND MLC à la pointe de l'industrie [...] » explique-t-on chez Micron, et Intel d'ajouter que « les progrès de notre filiale commune avec Micron ont surpassé nos attentes durant cette première année ».

Cette mémoire est produite sur des wafers 300 mm depuis février dernier au sein des usines de Boise dans l'Idaho et de Manassas en Virginie. Mais chez la concurrence, d'autres entreprises dominent aussi le secteur, on prendra pour exemple la puce de 8 Go de flash MoviNAND de chez Samsung, ou encore les puces des 2 Go de chez Toshiba et Sandisk.

Alors Intel et Micron à la pointe, certes, mais pas tous seuls !

Bruno Cormier le 26 avril 2007 à 11:53 (10 135 lectures)

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