Mémoire flash en 43 nm chez Toshiba en 2008

Toshiba avance vite dans le stockage sur mémoire flash. La firme augmente sa finesse de gravure régulièrement, et la densité de ses puces de mémoire flash du même coup.

Tout récemment, Toshiba annonçait les puces les plus denses du marché de la mémoire flash : 16 Go par puce, une gravure en 56 nm, et surtout une méthode de superposition de huit puces de mémoire de 2 Go chacune, pour atteindre une telle densité. Aujourd'hui, Toshiba remet le couvert, en 43 nm cette fois-ci.


Toshiba est le second producteur mondial de mémoire flash après son concurrent sud-coréen Samsung. Cette fois, Toshiba compte sur ce nouveau processus de production pour diminuer les coûts de production de 40 %, et diviser les prix de sa mémoire flash par deux d'ici mars 2008, rapporte le journal japonais Nikkei.

La flash 43 nm de Toshiba sera produite dans la toute nouvelle usine de la firme, au sud-ouest de Tokyo. Cette quatrième usine de mémoire flash de Toshiba ouvrira avant la fin de l'année 2007. Pour l'instant, Toshiba vise la production de mémoire flash en 50 nm dès cette année, toujours pour placer plus de puces sur un même wafer, et diminuer d'autant les coûts de production.

Bruno Cormier le 23 avril 2007 à 11:25 (10 844 lectures)

Tweeter

• 11 / 04 / 2007 : Clef USB Corsair Voyager GT de 8 Go, massive et efficace ?
• 06 / 04 / 2007 : PNY étend la garantie de ses cartes flash de 2 à 5 ans
• 13 / 03 / 2007 : Intel se lance dans le SSD : disque à mémoire flash NAND
• 07 / 03 / 2007 : Intel produira sa mémoire PRAM dès le mois de juin
• 24 / 01 / 2007 : Puce de 16 Gbits de Flash en 56 nm chez Toshiba et Sandisk
• 24 / 08 / 2006 : Toshiba lance des cartes mémoires SD à 20 Mo/s
• 21 / 07 / 2006 : Production de masse de MicroSD pour Toshiba
• 19 / 07 / 2006 : Sandisk annnonce sa carte 4Go SDHC

Actu Précédente Actu Suivante