Hynix lance la DRAM mobile (512Mb) la plus rapide du monde

Le coréen Hynix Semiconductor a annoncé à l'instant le développement de la plus rapide et plus petite DDR SDRAM mobile de 512Mb (soit 64 Mo). Approuvée par le JEDEC, cette mémoire de 8mm x 10 mm tourne à 200MHz, elle utilise un bus mémoire de 32 bits et est capable de traiter 1,6Go (400 bps x 32) de données par seconde, ce qui serait selon Hynix 50 % plus rapide que la plus véloce des mémoires actuelles (DRAM).

En conflit avec Rambus et soupçonnée d’entente sur les prix de la mémoire aux États-Unis et peut-être en Europe, Hynix ne se repose néanmoins pas sur ses lauriers. Destinée aux téléphones portables de troisième génération, cette mémoire pourrait être couplée à de la Flash NAND, mémoire connue depuis plusieurs années, mais dont le succès va grandissant, au point d'accompagner les futurs disques durs de Seagate.

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