256MBit de MRAM pour 2004

On s'attend à ce qu'Infineon et IBM lance la mémoire vive MRAM (magnetic RAM) 256 Mo pour 2004. Cette mémoire aura une finesse de gravure de 0,13µ. Les avantages de cette mémoire ?
Elle n'utilise pas de charge électrique pour stocker les données mais une charge magnétique. Rapide, peu onéreuse, elle a une consommation très faible, idéale pour les appareils mobiles.

Infineon prépare une nouvelle mémoire appelé FRAM (ferroelectric RAM), une autre technologie non-volatile. Infineon projette de mettre cette mémoire FRAM de 32-Mo sur le marché en 2003.

Motorola s'y colle également avec un processus technologique de 4 Mbits de MRAM gravé en 0,2µ contrairement aux deux associés qui n'en sont qu'à 1 Mbit mais en 0,18µ. Une avancé qui fait honneur à Motorola. La firme vise à offrir des échantillons en 2003.
Qui sait attendre...

Source : SBN

Christophe le 18 avril 2001 à 09:09 (1 605 lectures)

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