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Intel et Micron premiers sur la mémoire Flash 50 nm

Première place de la course au nanomètre

Intel et Micron viennent d'annoncer la fabrication de mémoire Flash gravée en 50 nm. Les deux sociétés, regroupées au sein d'une filiale commune baptisée IM Flash Technologies (IMFT) en janvier dernier, affirment qu'elles sont donc à la tête du progrès dans le domaine, ces puces 50 nm étant les toutes premières du genre.

Chacune de ces premières puces offre 4 Gbits, soit 512 Mo de capacité. Intel et Micron prévoient de produire toute une gamme de puces avec différentes capacités, mais toujours en 50 nm, dès l'année 2007.

Devant un marché en pleine explosion, Intel et Micron comptent bien grignoter quelques parts du gâteau face au géant Samsung, qui domine le secteur en terme de volume de production. Tous les engins vont bientôt avoir besoin de Flash ici et là, les analystes prévoient d'ailleurs un marché de 25 à 30 milliards de dollars en 2010, contre 13 à 16 milliards aujourd'hui.

« Micron est entré dans le commerce de la NAND en 2004, avec un processus de fabrication en 90 nm. En quelques courtes années, et grâce à une collaboration avec Intel, nous sommes maintenant en mesure d'offrir une production à la pointe de l'innovation, avec un processus dernier cri » explique le numéro deux de chez Micron, Brian Shirley.

De son côté, Intel, qui ne travaillait auparavant que sur la mémoire Flash NOR, se réjouit de la progression fulgurante de la marque dans la Flash NAND. « Nous avons commencé les ventes en début d'année et nous sommes face à une forte demande sur plusieurs densités de mémoire. Avec Micron, nous sommes en mesure de passer rapidement au 50 nm et au delà » explique le vice-président de IMFT, Brian Harrison.
Publiée le 26/07/2006 à 10:57

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