Toshida et Nec ont annoncé avoir avancé dans deux technologies clefs pour le développement de la MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), qui est sensée remplacer les mémoires Flash de nos appareils portables actuels.

Jusqu'à présent la MRAM posait de gros problèmes au niveau de la consommation notamment, ce qui bloquait l'augmentation de la densité de mémoire dans les puces. Les deux compagnies annoncent aujourd'hui avoir trouvé un nouveau design de puce qui consomme deux fois moins d'énergie en écriture, tout en permettant de diminuer les erreurs dans les transferts de données.

Cette nouvelle architecture va donc donner la possibilité à la MRAM de s'intégrer dans des périphériques de stockage haute densité comme les mémoires flash, mais aussi très rapides. Quelques détails de cette technologie ont été présentés le 14 décembre à l'EIDM (International Electron Devices Meeting) à San Francisco.

Pour rappel, la MRAM permet une écriture et une lecture à haute vitesse, une durée de vie quasi-illimitée, selon les concepteurs. Le principal avantage de la MRAM est que les données qu'elle stocke ne sont pas « volatiles » : elle restent même en l'absence d'énergie.

Toshiba et Nec espèrent donc être en mesure de produire un module de 32Mo de MRAM fin 2005. Si tout se passe bien, nous devrions voir la MRAM remplacer notre bonne vieille DRAM aux alentours des années 2010.