A titre d'information, un nanotube de carbone est à la fois un cristal et une molécule, de forme tubulaire, et constitué d'un feuillet de graphite enroulé sur lui-même. Ces structures autorisent le passage d'électrons à des vitesses environ trois fois supérieures à un transistor de la même taille, s'il existait bien sûr. Etant très largement étudiés par les divers fondeurs et les universités, il devrait être possible de les utiliser dans un avenir proche, mais le vrai défi sera de les intégrer dans des procédés de fabrication massifs.

Pour revenir sur un futur un peu plus proche, Intel compte, dans les quatre prochaines années, commencer à intégrer des transistors à trois portes ou transistors tri-gate. Ces transistors utiliseront une architecture en trois dimensions (contre deux aujourd'hui,) ce qui accroîtra les surfaces d'échanges au niveau du courant électrique et donc, la vitesse de traitement.

D'autres technologies ont été présentées comme celle appelée "spintronics", qui consiste à utiliser un champ magnétique pour faire le même travail qu'une porte classique. Lorsqu'un courant est appliqué, des électrons se mettent en rotation, de quoi produire un minuscule champ magnétique qui pointera dans une direction précise, ce qui représentera un "ON" ou un "OFF". L'intérêt de cette technologie est qu'elle est peu gourmande en ce qui concerne la consommation électrique.

Selon Paolo Gargini, directeur des stratégies technologiques d'Intel, les nanotubes et les nanofils sont attendus entre 2013 et 2020.