La société Samsung Electronics a annoncé qu'elle a commencé à produire en masse des modules de mémoire SRAM de 1Mo de faible consommation et utilisant une nouvelle technologie de gravure 0.13 micron. Samsung déclare qu'il projette de lancer une version 2 Mo avec l'utilisation du processus 0.13 micron dans le quatrième trimestre 2001.

Selon le fabricant coréen, la technologie 0.13 micron a 3 mois d'avance. La pleine production est attendue dans le quatrième trimestre. La société n'a pas communiqué d'information sur la date de sortie de ces nouveaux modules avec le nouveau processus.
Ces mémoires SRAM 8 Mo basses consommations, nommées K6F8016U6B, sont destinées aux téléphones portables de deuxième génération, qui ont besoin de mémoires statiques pour la vidéo, l'audio avec de grandes capacités de données.

Samsung annonce également qu'il projette de mettre en avant la fabrication de mémoire avec le processus de gravure 0.10 micron basse consommation l'année prochaine. Le processus de conception 0.08 micron est prévu pour être présenté en 2003, nous déclare le fabricant de chip.
La société prédit que le marché mondial des téléphones portables évoluera à une moyenne 15 à 20 % par an.

Samsung annonce qu'il s'attend à vendre pour 1.8 milliards de Dollars de SRAM cette année et projette de prendre 30 % de part de marché mondiale en 2002.