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 Samsung améliore sa RAM pseudostatique pour la 3G
 Le 0,09 micron de la RAM téléphonique
Mémoire

Dans la recherche continuelle de miniaturisation et d'augmentation des capacités de nos chers Smart Phone et autres PDA, Samsung vient de jeter un pavé dans la marre :  la PS-RAM (Pseudostatic RAM), une mémoire utilisée principalement pour sa vélocité et ses faibles besoins en énergie, vient d'être produite en 90nm.

Samsung se révèle être le premier fournisseur du marché à lancer des modules d'une  densité de 256 Mbit (32 Mo) gravés à une telle finesse, permettant ainsi d'augmenter la capacité au sein d'un package identique. De nombreux appareils de téléphonie ont des besoins importants en mémoire, afin de gérer tout contenu multimédia, et ce dans un encombrement fortement réduit par la nécéssité de la téléphonie mobile .

Cette PS-RAM est donc utilisée en particulier dans la téléphonie multimédia de type 3G, où les besoins en bande passante mémoire sont en augmentation constante.
Opposée à une SRAM standard utilisant 6 transistors pour ses besoins en energie (on parle aussi de 6t RAM), la PS RAM n'utilise qu'un seul transistor (Samsung parle alors de UtRAM, soit Uni Transistor RAM). Elle est cadencée à une vitesse d'horloge de 133 Mhz, et utilise donc un circuit électrique fortement réduit pour être alimentée, tout en permettant son intégration car le package reste identique. Le coût de production demeure donc relativement faible.

Disponible en pièce unique, ou sous forme multi-chip (deux à huit modules au sein d'un même package), nul doute que la concurrence devra réagir car les capacités actuelles étaient jusqu'alors limitées à 128 Mbit. Micron, ou Kingston par exemple, ne proposent aucune alternative à Samsung à l'heure actuelle, dont ses PS-RAM 256 Mbit seront largement mises en production dès la fin 2005.

Rédigée par le mercredi 07 septembre 2005 à 10h42 (5873 lectures)
Source de l'INformation : EETimes
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