Le fondeur Intel vient de publier un communiqué de presse annonçant qu'une étape importante venait d'être franchie en ce qui concerne la technologie de gravure en 0.065µ. La société a en effet construit avec succès des puces de mémoire SRAM (Static Random Access Memory) de 70 mégabit (8.75 Mo) en utilisant ce procédé, des puces qui embarquent plus de 500 millions de transistors.

"Intel répond au défi permanent que représente l'évolution informatique par l'innovation en termes de matériaux, de processus et de structures des composants. Son procédé de gravure en 65 nm se traduit par une densité des transistors, une puissance et un rendement électrique qui permettront la réalisation de puces dotées de capacités et de performances en nette hausse. Les nouveaux semi-conducteurs fabriqués en 2005 à l'aide de cette technique s'inscriront parfaitement sur la courbe prévue par la loi de Moore et matérialiseront les progrès permanents qu'elle prédit." a clamé Sunlin Chou, Senior Vice President d'Intel et General Manager de l'Intel Technology & Manufacturing Group.

Intel annonce également que sa technologie de silicium étiré (strained silicon) introduite par la gravure 0.09µ a été améliorée pour parer à l'augmentation de la consommation électrique et de la dissipation thermique qu'engendre la gravure en 0.065µ. Ainsi les pertes de courant auraient été stabilisée tout en augmentant les performances de plus de 10%, soit des pertes de courants à la baisse pour des performances égales.

"Intel s'est très sérieusement penché sur le double écueil que représentent, pour tout le secteur des semi-conducteurs, la consommation électrique et la dissipation thermique. Face à cet enjeu, nous avons adopté une approche globale, en mettant au point des solutions auxquels participent les systèmes, les puces et les technologies ainsi que des innovations dont bénéficie notre procédé de gravure en 65 nm, qui vont au-delà de simples améliorations apportées à des techniques existantes."

Ces puces de mémoire gravées en 0.065µ ont été fabriquées dans l'Oregon, à Hillsboro, dans le bureau d'étude Fab D1D, précisément là où le procédé a été mis au point.