Le silicium présent dans nos chers processeurs a un défaut, et pas des moindres : le flux électrique se disperse proportionnellement à la finesse de gravure, ce qui entraine plus de perte donc de chaleur. Il faut donc trouver une nouvelle alternative pour palier à cela : un métal différent avec une propriété plus adéquat pour le transistor couplé avec un composant nommé "High-K" pour l'isolation.

Intel n'a pas encore divulgué le nom de son métal, toutefois, il n'hésite pas à déclarer que le High-K réduirait de 100 fois les pertes électriques comparé au dioxyde de silicium (1,2 nanomètre) utilisé actuellement. Voilà qui devrait permettre aux futurs processeurs de travailler plus vite sans qu'il y ait une dissipation thermique importante.

En plus de ces nouveautés, Intel prévoit d'ajouter le strained silicon, une technologie qui permettra d'espacer les atomes pour améliorer le flux électrique, et le transistor tri-gate (trois portes). Ajoutez à cela une finesse de gravure en 0,045 micron, on devrait trouver le processeur de l'an 2007 avec peut être jusqu'à un millard de transistors.

De son côté, AMD travaille sur le siliciure de nickel (NiSi) pour remplacer à terme le silicium...