La MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory) est un type de mémoire sur laquelle les différents magazines de science et d'informatique ont porté bien des critiques positives.

De grandes sociétés, parmi lesquelles Sony, Philips, IBM, Infineon ou encore Hewlett-Packard travaillent sur cette mémoire, qui possède les avantages de la grande rapidité tout en ayant une consommation plus que réduite et d'indéniables arguments thermiques. Elle est surtout non-volatile, c'est-à-dire que son contenu n'est pas perdu quand elle est hors tension. C'est la mémoire par excellence attendue pour des démarrages quasi immédiats d'ordinateurs.



Jusqu'à présent, beaucoup s'accordaient à dire que cette mémoire allait être LA mémoire universelle avant la fin de la décennie. Les premiers téléphones portables intégrant cette mémoire devraient apparaître à la fin de cette année, certains périphériques d'informatique embarquée ou d'ordinateurs portables en 2006, et les appareils multimédia comme les lecteurs MP3 ou encore les appareils photo et/ou vidéo pas avant 2007.

Les problèmes sont majoritairement dus à une capacité de production plutôt faible comparée aux autres types de mémoire, et surtout des coûts bien plus élevés. Les capacités actuelles sont très loin de concurrencer ce qui est produit aujourd'hui, et ce n'est pas demain que nous verrons les premières barettes de 1Go de MRAM. Les analystes prédisent également quelques batailles juridiques sur les brevets de cette technologie.