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Fujitsu vient de mettre au point un nouveau transistor qui permettra d'économiser une grande quantité d'énergie au niveau de l'alimentation même des appareils électriques et électroniques grand public.
Ce transistor GaN HEMT, pour « gallium-nitride high electron-mobility transistor » vient en remplacement des actuels transistors classiques au silicium qui occupent les circuits des blocs d'alimentations électriques. Les transistors GaN HEMT offrent une résistance moins importante au passage du courant électrique, Fujitsu affirme que la perte d'énergie est équivalente à seulement 20 % de celle des transistors actuels au silicium dans ce type de circuit d'alimentation.
Autre avantage de taille, les GaN HEMT sont beaucoup plus rapides pour passer d'un état à un autre. Ils passent d'une position « allumée » (le courant passe) à une position « éteinte » (le courant ne passe plus) d'une manière bien plus instantanée, et les pertes de courant lors de ces commutations (appelées « switching loss ») sont presque éliminées : elles sont équivalentes à seulement 1 % des pertes provoquées par les transistors actuels au silicium dans la même situation.
Fujitsu a travaillé plusieurs années pour adapter ces transistors GaN HEMT au type de courant requis pour être fonctionnels dans une alimentation électrique. Le résultat donne le premier transistor GaN HEMT capable de supporter une tension (+ 3V) et une densité (829 mA/mm) suffisante pour servir dans une alimentation sans... cramer.
Les chercheurs expliquent que dans une alimentation, la perte d'énergie serait réduite à un tiers de celle des alimentations traditionnelles. Dans un serveur de données, ces transistors GaN HEMT pourraient économiser 12 % d'énergie supplémentaire, selon les estimations de Fujitsu, soit 330 000 tonnes de CO2 jetées en moins dans l'atmosphère pendant une année, rien qu'au Japon.
Autres avantages, ces nouveaux transistors permettront de diminuer grandement la taille des alimentations électriques et transformateurs. L'alimentation externe d'un ordinateur portable pourrait par exemple être réduite à une taille équivalente à un dixième de celle des blocs actuels.
Plus d'informations sur cette page, chez Fujitsu.
Ce transistor GaN HEMT, pour « gallium-nitride high electron-mobility transistor » vient en remplacement des actuels transistors classiques au silicium qui occupent les circuits des blocs d'alimentations électriques. Les transistors GaN HEMT offrent une résistance moins importante au passage du courant électrique, Fujitsu affirme que la perte d'énergie est équivalente à seulement 20 % de celle des transistors actuels au silicium dans ce type de circuit d'alimentation.
Autre avantage de taille, les GaN HEMT sont beaucoup plus rapides pour passer d'un état à un autre. Ils passent d'une position « allumée » (le courant passe) à une position « éteinte » (le courant ne passe plus) d'une manière bien plus instantanée, et les pertes de courant lors de ces commutations (appelées « switching loss ») sont presque éliminées : elles sont équivalentes à seulement 1 % des pertes provoquées par les transistors actuels au silicium dans la même situation.
Fujitsu a travaillé plusieurs années pour adapter ces transistors GaN HEMT au type de courant requis pour être fonctionnels dans une alimentation électrique. Le résultat donne le premier transistor GaN HEMT capable de supporter une tension (+ 3V) et une densité (829 mA/mm) suffisante pour servir dans une alimentation sans... cramer.
Les chercheurs expliquent que dans une alimentation, la perte d'énergie serait réduite à un tiers de celle des alimentations traditionnelles. Dans un serveur de données, ces transistors GaN HEMT pourraient économiser 12 % d'énergie supplémentaire, selon les estimations de Fujitsu, soit 330 000 tonnes de CO2 jetées en moins dans l'atmosphère pendant une année, rien qu'au Japon.
Autres avantages, ces nouveaux transistors permettront de diminuer grandement la taille des alimentations électriques et transformateurs. L'alimentation externe d'un ordinateur portable pourrait par exemple être réduite à une taille équivalente à un dixième de celle des blocs actuels.
Plus d'informations sur cette page, chez Fujitsu.
Rédigée par le mercredi 24 juin 2009 à 16h46 (19501 lectures)
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