Toshiba annonce coup sur coup deux grandes innovations sur lesquelles le Japonais déclare être premier dans le monde.

La firme commence avec de la mémoire cache pour processeur, et présente la SRAM la plus fine du monde, avec les cellules les plus petites jamais vues pour ce type de mémoire : seulement 0,128 µm² de surface. Cette SRAM utilise des transistors exploitant la technologie High-K Metal Gate, elle a été mise au point en collaboration avec IBM et AMD, et de type FinFETs (canaux de transistors à la verticale).


Ce processus de fabrication permettra aux trois firmes de passer à une finesse de gravure de 22 nm dans les années qui viennent. Elles ne précisent pour l'instant pas la finesse de gravure de cette SRAM, mais on imagine un sympathique 40 nm.

Toshiba en profite pour annoncer aujourd'hui l'arrivée du tout premier SSD de 512 Go sur le marché. Un disque qui regroupe des puces de mémoire flash NAND de type MLC (multilevel cell) gravées à une finesse de 43 nm. La densité est donc exemplaire, pour un disque au format 2,5 pouces.


Si la mémoire flash MLC est plus dense, car elle regroupe plusieurs bits de données par cellule, elle est aussi censée être moins rapide. Mais que nenni, ici Toshiba annonce des débits de 240 Mo/s en lecture, et de 200 Mo/s en écriture !